在半导体工业中，氮化镓是一种非常重要的材料。它在常温下拥有较宽的能带间隙和高导热性，这使它成为制备光电装置和高性能射频微型装置中的优异材料。斯图加特大学和慕尼黑大学的Rainer Niewa以及他的同事们在European Journal of Inorganic Chemistry发表的论文上谈到，胺化物存在于氨热法生长的镓的卤化物中，并在文章中对这些化合物进行了严密的描述。
高质量的氮化镓单晶很难获得。氨热法生长技术是一种有望获得最佳质量的氮化镓晶体的方法。相比于水热法，不同点在于它利用超临界状态的氨代替水。为了获得水溶性镓的试样，典型的卤化胺或碱金属合金被加入到反应混合物中。然而，在晶体成长过程中的化学作用一直没有完全搞清楚。Rainer Niewa等人经过全面深入的研究，提交了他们的第一份报告，认为镓的离子形式在利用卤化胺作为添加剂来制备氮化镓的混合反应中可能占主导地位。他们解释称卤化镓的胺化物的晶体结构使其可以高度溶解于超临界状态的氨。
了解这些试样的固态结构，氨和卤化物的配位数，以及这些化合物形成和分解的条件对于预测氨热法生长的氮化镓晶体的机械性能是一个很重要的帮助。
